
16层高多层高纵横比DDR4 PCB板采用16:1高纵横比工艺,专为DDR4高速存储场景设计,实现超厚板内的深层互联与稳定信号传输,满足高速存储设备的高可靠性需求。
层数:16层
板厚:3.2mm
最小孔径:0.2mm
最小线宽/线径:0.1mm/0.12mm
表面工艺:沉金
16层高多层高纵横比DDR4PCB板,是专为服务器、工控算力、工业主机、高端智能设备研发的超高精密高层数高速存储电路板。采用16层高密度叠层架构,依托高纵横比微孔制程、DDR4高速信号等长管控、全域阻抗匹配、多层立体屏蔽核心工艺,解决DDR4高速传输易丢包、时序错乱、信号延迟、层间干扰、高层板导通不良等行业痛点,具备超高布线密度、极致信号完整性、超低传输损耗、供电纯净稳定等优势,是高端算力设备、高速运算主板的核心承载PCB。
高多层叠构
采用16层精密多层叠构工艺,层压精度高、层间一致性好,可实现高密度精细化布线布局,板面空间利用率大幅提升,完美适配DDR4高速信号架构,充分满足高端精密设备高速传输、复杂电路集成的使用需求。
16:1高纵横比工艺
采用行业高标准16:1超高纵横比制程,针对3.2mm超厚板材搭配0.2mm超细微孔精密加工,孔壁镀层均匀完整,导通性能稳定,有效实现板材深层电路可靠互联,解决厚板微孔导通不良问题,适配高端厚板精密应用。
精细线宽控制
严格管控0.1mm/0.12mm超细线宽线距,线路成型规整、边缘光滑无毛刺、阻抗均匀稳定,可有效降低高速信号串扰、衰减与畸变问题,全方位保障DDR4等高速信号的传输完整性与精准度。
沉金表面处理
采用优质沉金表面处理工艺,镀层致密均匀,具备优异的抗氧化、耐腐蚀、耐温性能,可长期保持焊盘平整度与可焊性,大幅提升精密元器件焊接可靠性,同时保障反复测试、量产测试的稳定性与良率。
服务器主板、工业算力主机、AI运算核心板
工业工控机、嵌入式高端主控板、运动控制核心板
高速网络设备、数据交换存储主板
智能安防服务器、高清图像处理主板
精密仪器、高速检测设备、高端医疗工控主板
所有搭载DDR4高速内存、需要高稳定高速运算的高端电子设备
叠层结构:10层(一阶HDI结构)
表面工艺:沉金(化学沉金)
最小线宽/线距:3/2.5mil
纵横比:7.6:1
层数:16层
板厚:3.2mm
最小孔径:0.2mm
最小线宽/线径:0.1mm/0.12mm
表面工艺:沉金
层数:14层(HDI工艺)
板厚:3.0mm
制程控制:塞孔、孔铜≥20μm、面铜≥35μm
表面工艺:沉金
线宽线距:3/3mil
最小孔径:0.2mm
层数:4L
工艺:1阶HDI
导热系数:3W
表面工艺:无铅喷锡
核心优势:高集成、高导热、车载级高可靠
板材:生益
层数:8层
板厚:1.2mm
最小线宽/线距:50/50um
最小板厚孔径比 8:1
表面工艺:沉金
层数:16层
板厚:3.2mm
表面处理:沉金
最小线宽/线距:3/3mil
板材:生益S1000-2M
层数:14层
板厚:1.6mm
最小线宽/线距:75/75um
最小孔径 激光孔:0.15mm;机械孔:0.20mm
表面工艺:沉金
板材:生益S1000-2M
层数:18层
板厚:2.1±0.21mm
最小孔径:11:1
最小线宽/线距:75/75um
层数:4层
板厚:1.0mm
表面处理:浸金(ENIG)
阻焊层:绿色
材料:S1000-2M
层数:10层
厚度:1.0±0.1mm
最小孔径:激光盲孔0.1mm,机械孔0.2mm
最小轨道/间距:75/95um
最小板材厚度和孔比:5:1
表面处理:浸金(ENIG)0.05微米
材料:S1000-2M
层数:16层
厚度:1.8±0.13mm
最小孔径:激光孔径 0.1mm
最小轨道/间距:75/75um
表面处理:浸金(ENIG)2u"
层数:10层
板厚:1.0mm
表面处理:OSP
阻焊层:哑光黑